时间：2025/4/28 14:14:57
阅读：4
MSAST31LAB7106KTNA01 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻和开关性能之间实现了良好的平衡，从而能够显著降低功耗并提升系统效率。
型号：MSAST31LAB7106KTNA01
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id（@25°C）：9.2A
导通电阻Rds(on)（@Vgs=10V）：4.5mΩ
栅极电荷Qg：28nC
总电容Ciss：1580pF
工作温度范围Tj：-55°C 至 +175°C
该芯片具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速的开关速度，可以有效降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了在过流或短路情况下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 支持高频率操作，适合现代高效能功率转换应用。
6. 小型化封装设计，节省PCB空间同时保持良好散热性能。
这款功率MOSFET适用于多种电力电子领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 各类电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器及同步整流电路。
4. 电池保护与管理系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
6. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
IRFZ44N
AO3400
FDP5500
STP13NK60Z
