时间：2025/4/29 14:11:27
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MSASL32MAB5107MPNA01 是一款高精度、低功耗的32Mb（4Mx8）静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高速数据传输能力，适用于对性能要求较高的应用场景。其非易失性特性确保了在断电后数据能够保存，非常适合需要高可靠性数据存储的应用环境。
该型号通常被用作高性能处理器或FPGA的外部存储扩展，支持快速的数据读写操作，并且具备出色的抗干扰能力和低功耗特点。
容量：32Mb (4M x 8)
工作电压：1.8V ± 0.1V
访问时间：5ns 典型值
数据保持时间：无限期（非易失性）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：BGA-169
引脚间距：1.0mm
最大功耗：1W（典型值）
1. 高速数据访问能力，访问时间低至5ns，适合实时处理任务。
2. 非易失性存储设计，即使断电也能可靠保存数据。
3. 超低功耗运行，在待机模式下电流消耗极小。
4. 广泛的工作温度范围，适应恶劣环境下的应用需求。
5. 先进的错误检测与纠正功能（ECC），提升数据完整性。
6. 支持多端口同时访问，增强系统灵活性。
7. 封装紧凑，适合空间受限的设计方案。
1. 嵌入式系统中的高速缓存。
2. 工业控制设备中的数据记录模块。
3. 医疗成像设备的图像处理单元。
4. 航空航天领域的关键数据存储。
5. 高性能计算平台的临时存储解决方案。
6. 网络通信设备中的包缓冲区。
7. 自动化测试设备中的高速数据采集系统。
MSASL32MAB5107MPNA02
MSASL32MAB5107MPNA03
