时间：2025/5/23 4:28:39
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MSASJ168AB5106KTNA01 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于 N 沟道增强型器件。该芯片广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景中，其出色的导通电阻和开关性能使得它在高效率应用中表现出色。
这款芯片采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度的特点，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在多种工业和消费电子领域中使用。
型号：MSASJ168AB5106KTNA01
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V
功耗(PD)：96W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，能够满足高频应用需求。
3. 高击穿电压 (Vdss)，确保了在高压环境下的可靠运行。
4. 具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。
5. 小尺寸封装，节省PCB空间，便于设计灵活布局。
6. 内置ESD保护功能，增强了器件的抗静电能力。
7. 符合RoHS标准，绿色环保，适合现代电子产品要求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
4. 各种负载开关应用，如笔记本电脑和移动设备。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 照明系统中的LED驱动电路。
7. 太阳能逆变器及其他新能源设备中的功率管理部分。
MSASJ168AB5106KTTA01
IRFZ44N
FDP5500
AUIRF840
STP12NF06L
