型号：MS74-100MT
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：74A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：296A
　　最大功耗（Pd）：250W
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V, 13.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V, 18mΩ
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约3400pF
　　输出电容（Coss）：约580pF
　　反向恢复时间（trr）：约36ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252 (D-PAK)

MS74-100MT具备优异的导通性能，其低导通电阻特性显著降低了在大电流应用中的功率损耗。当栅极驱动电压达到10V时，Rds(on)典型值仅为13.5mΩ，这使得器件在高负载工况下仍能保持较低的温升，从而提高了系统的整体效率并减少对散热设计的要求。该特性尤其适用于高密度电源模块和便携式设备中的电池管理系统，能够有效延长续航时间并提升能源利用率。
　　该MOSFET采用了优化的晶圆结构设计，实现了快速的开关响应能力。其输入电容和输出电容较小，配合合理的驱动电路可实现高频开关操作，适用于高达数百kHz甚至更高的开关电源拓扑结构，如同步整流、半桥/全桥变换器等。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动所需的能量更少，有利于降低控制器的驱动负担，并进一步提高系统的动态响应速度。
　　热稳定性方面，MS74-100MT在TO-252封装基础上集成了高效散热路径，通过底部导热片将热量快速传导至PCB上的铜箔或散热器，提升了长时间工作的可靠性。器件的最大功耗可达250W，结温范围宽达-55℃至+150℃，可在恶劣环境下稳定运行。此外，其具备较强的抗雪崩能力和耐浪涌电流能力，能在意外短路或负载突变情况下提供一定程度的自我保护，减少系统故障率。
　　制造工艺上，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色电子制造的需求。批次一致性好，参数分布集中，适合大规模自动化生产使用。总体而言，MS74-100MT是一款综合性能优良、性价比高的功率MOSFET，适用于多种中高端功率切换与控制场合。

MS74-100MT广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。在电源领域，常用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路以及AC-DC适配器中作为主开关或整流元件，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并降低发热。
　　在电机控制方面，该器件可用于直流电机驱动、步进电机控制器和电动工具中的H桥驱动电路，能够承受频繁启停和反向电流冲击，确保驱动系统的稳定性和响应速度。此外，在电池供电系统如电动自行车、储能设备和UPS不间断电源中，MS74-100MT也常被用作充放电控制开关或负载隔离开关，实现对电池组的安全管理和高效能量调度。
　　工业控制设备中，该MOSFET可用于继电器替代、固态开关、LED驱动电源和逆变器电路，尤其适合需要远程控制和高可靠性的自动化系统。由于其封装形式为TO-252，便于安装于紧凑型PCB上，并可通过大面积敷铜实现良好散热，因此在通信设备、家用电器（如智能空调、洗衣机）和照明控制系统中也有广泛应用。
　　此外，得益于其较强的抗干扰能力和温度稳定性，MS74-100MT也可用于汽车电子外围模块（非车载动力系统）、工业传感器供电单元和光伏逆变器等对长期运行可靠性要求较高的场景。总之，该器件以其高性能、高可靠性和广泛的适用性，成为众多工程师在中功率开关设计中的优选方案之一。

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　　 "FQP74N10",
　　 "STP74N10F7",
　　 "IRF3710",
　　 "IPB074N10S3L-02",
　　 "BUZ111S"
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