类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大漏极电流（Id）：5A（25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等常见功率封装

MS5N100S的主要特性之一是其高耐压能力，能够承受高达1000V的漏源电压，这使得它非常适合高压电源应用。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的栅极阈值电压在2V到4V之间，使其能够与常见的逻辑电路兼容，例如微控制器或其他数字控制电路。
　　此外，MS5N100S具备良好的热稳定性和过热保护能力，能够在高负载条件下保持稳定的工作状态，避免因温度过高而导致的器件损坏。它的高开关速度特性也有助于提高电路的工作频率，适用于高频开关电源和逆变器设计。
　　该MOSFET还具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提升系统的动态响应能力。其封装形式通常为TO-220或TO-252，便于安装和散热处理，适用于各种工业和消费类电子产品。

MS5N100S广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、LED驱动电源以及工业自动化控制系统。在这些应用中，它通常用于高频开关操作，以实现高效的能量转换和控制。
　　在消费电子产品中，MS5N100S可用于电源适配器、充电器、智能家电和照明系统。其高耐压和低导通电阻特性使其成为这些设备中理想的功率开关元件。此外，该器件也可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和电动车充电设备等高可靠性应用场合。
　　由于其良好的热管理和高可靠性，MS5N100S也常用于需要长时间稳定运行的工业控制系统，如自动化生产线、工业机器人和电力监控设备。

建议考虑以下替代型号：IRF840、FQA5N100、STP5NK100Z、2SK2141