类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1000V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约 3.5Ω（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　封装类型：TO-252（DPAK）

MS5N100FT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，具有多项关键特性使其适用于高电压和高功率应用。首先，它的漏源电压（Vds）高达 1000V，这意味着它可以用于高压电源系统，例如离线开关电源（off-line SMPS）和 LED 照明驱动器。其次，该器件的栅源电压（Vgs）为 ±30V，提供了良好的栅极控制能力，并确保在宽电压范围内可靠工作。此外，MS5N100FT 的连续漏极电流（Id）为 5A，能够在较高电流负载下稳定运行。
　　该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）典型值约为 3.5Ω，最大值也在可接受范围内，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其封装形式为 TO-252（DPAK），是一种广泛用于功率电子设备的表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于自动化生产流程。同时，MS5N100FT 的功率耗散能力为 50W，在适当的散热条件下可以承受较大的功率负载。
　　该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高整体系统效率。MagnaChip 在制造工艺上采用了先进的高压技术，确保了器件在恶劣工作条件下的稳定性和耐用性。此外，MS5N100FT 还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，适合在工业、消费电子和通信设备中使用。

MS5N100FT 广泛应用于多种高电压和高功率电子设备中，特别是在开关电源（SMPS）中作为主开关元件，例如 AC-DC 转换器、反激式变换器和正激式变换器。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该器件也非常适合用于 LED 照明驱动器、离线电源适配器以及各种高压直流电源系统。此外，MS5N100FT 还可用于 DC-DC 转换器中的同步整流器或功率开关，提高转换效率并减少热量产生。
　　在工业自动化和电机控制领域，MS5N100FT 可作为电机驱动电路中的功率开关，适用于变频器、伺服控制系统和无刷直流电机驱动器。它也可以用于逆变器电路中，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统，提供高效的功率转换能力。此外，该器件在消费类电子产品中也有广泛应用，例如智能家电、电源管理模块以及高功率 USB 充电设备等。
　　由于其优异的热管理和电气性能，MS5N100FT 还适用于通信设备中的电源模块，如基站电源、路由器和交换机的电源供应系统。在汽车电子领域，该器件也可用于车载充电器、电动工具以及新能源汽车的电源管理系统中。

KSC5N100FT, FQA5N100, FQPF5N100, 2SK2146, 2SK2147