时间：2025/6/21 11:19:45
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MS5N100 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等领域。这款器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高切换速度的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
MS5N100 的设计使其在各种高频应用中表现出色，并且具备良好的热稳定性和可靠性，非常适合需要高效能量转换的场合。
型号：MS5N100
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：90A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：28nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
封装：TO-220
工作温度范围：-55℃至+175℃
MS5N100 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以显著减少导通损耗，提升整体效率。
2. 高额定电流 Id 和较低的热阻，适合大功率应用场景。
3. 快速开关能力，支持高频操作，从而减小磁性元件的尺寸。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，可在异常条件下提供额外保护。
5. 工作环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保友好。
这些特性使得 MS5N100 成为许多高要求应用中的理想选择。
MS5N100 在以下领域有着广泛的应用：
1. 开关电源（SMPS），用于高效能量转换。
2. DC-DC 转换器，提供稳定的直流电压输出。
3. 电机驱动，适用于各种类型的电动机控制。
4. 负载开关，在电池供电设备中实现快速开启和关闭。
5. 通信电源和工业电源模块。
6. 各种需要高频、高效率切换的应用场景。
由于其卓越的性能，该器件在现代电子系统中扮演着重要角色。
IRF540N
FQP50N06L
STP90NE06
AO3400
