MS4N1350W 时间：2025/7/4 2:22:00 阅读：26

MS4N1350W是一种高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种电力电子设备。其封装形式通常为TO-247或TO-220，便于散热设计。
　　MS4N1350W广泛应用于工业、汽车以及消费类电子产品中，例如电机驱动、电源转换器和逆变器等场景。

参数

最大漏源电压：1350V
　　最大连续漏极电流：8A
　　最大脉冲漏极电流：32A
　　导通电阻：1.2Ω
　　栅极电荷：65nC
　　输入电容：1300pF
　　总功耗：175W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

MS4N1350W具备高耐压能力，可承受高达1350V的漏源电压，使其在高压环境下表现出色。
　　该器件具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　同时，MS4N1350W的快速开关速度和低栅极电荷特性使得它在高频应用中表现优异。
　　此外，该器件支持较宽的工作温度范围，适应极端环境下的使用需求。
　　MS4N1350W还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，增强了系统的可靠性和安全性。

应用

MS4N1350W适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 高压电源转换器和开关电源中的主开关元件。
　　2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机控制器。
　　3. 工业自动化设备中的伺服驱动和变频器。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节模块。
　　5. 各种需要高压大电流切换的应用场合，如LED照明驱动和家电控制电路。