MS4N1350W是一种高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种电力电子设备。其封装形式通常为TO-247或TO-220,便于散热设计。
MS4N1350W广泛应用于工业、汽车以及消费类电子产品中,例如电机驱动、电源转换器和逆变器等场景。
最大漏源电压:1350V
最大连续漏极电流:8A
最大脉冲漏极电流:32A
导通电阻:1.2Ω
栅极电荷:65nC
输入电容:1300pF
总功耗:175W
工作结温范围:-55℃至+175℃
MS4N1350W具备高耐压能力,可承受高达1350V的漏源电压,使其在高压环境下表现出色。
该器件具有较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
同时,MS4N1350W的快速开关速度和低栅极电荷特性使得它在高频应用中表现优异。
此外,该器件支持较宽的工作温度范围,适应极端环境下的使用需求。
MS4N1350W还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,增强了系统的可靠性和安全性。
MS4N1350W适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 高压电源转换器和开关电源中的主开关元件。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的电机控制器。
3. 工业自动化设备中的伺服驱动和变频器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节模块。
5. 各种需要高压大电流切换的应用场合,如LED照明驱动和家电控制电路。
IRG4PC30KD
STGW40H65DF
FDP17N120
IXYS40N120T2