时间：2025/3/27 14:29:31
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MS30N100HGC0 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关和高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够在高频工作条件下实现高效的功率转换。
该型号主要应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及各类需要高效开关性能的场合。
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-220
00V
Rds(on)（导通电阻）：30mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：45A
Qg（栅极电荷）：28nC（典型值）
Bvdss（漏源击穿电压）：100V
Vgs(th)（阈值电压）：2.7V~4.5V
fT（截止频率）：2.2MHz
Tj（结温范围）：-55°C ~ 175°C
MS30N100HGC0 的主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷，这使得其在高频开关应用中表现出色。其先进的沟槽工艺降低了 Rds(on)，从而减少了传导损耗。同时，较小的 Qg 值也意味着更低的开关损耗，这对于提高整体系统效率至关重要。
此外，该器件支持高达 175°C 的结温，使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其 TO-220 封装易于安装，并提供良好的散热性能，适用于大功率应用场景。
该 MOSFET 具有快速开关速度和出色的热稳定性，可有效减少能量损失并延长设备寿命。其正温度系数特性有助于多个器件并联使用时的均流表现。
MS30N100HGC0 广泛应用于各种功率电子领域，例如 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动电路和电动工具等领域。其低导通电阻和高频性能使其非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
此外，该器件还适用于工业自动化控制、汽车电子系统中的负载切换以及其他需要高性能功率开关的应用场合。
IRFZ44N, FDP55N10, STP45NF10L
