MS21919DG16 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)推出的低噪声、高线性度的射频(RF)放大器芯片,广泛应用于无线通信系统中。该器件采用了先进的 GaAs(砷化镓)工艺技术,具备出色的射频性能,适用于多种高频应用场景。
工作频率:50 MHz 至 6 GHz
增益:约 20 dB
噪声系数:约 0.65 dB
输出IP3:约 +38 dBm
供电电压:+5 V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
MS21919DG16 具备优异的线性度和低噪声性能,能够在较宽的频率范围内稳定工作。其设计保证了高输入和输出阻抗匹配,从而减少了对外部匹配元件的需求,降低了电路设计的复杂性。此外,该器件具有良好的稳定性,即使在极端温度条件下也能保持稳定的性能。其高输出三阶截取点(OIP3)使其非常适合用于需要高动态范围的应用场景。由于其宽频特性,MS21919DG16 可用于多种射频前端设计,包括蜂窝通信、Wi-Fi、蓝牙和其他无线基础设施。
该芯片采用了 16 引脚 TSSOP 封装形式,提供了良好的散热性能和易于集成的特点。在实际应用中,MS21919DG16 能够显著提升射频系统的灵敏度和信号质量,同时保持较低的功耗水平。其高可靠性使其成为工业级和商业级应用的理想选择。
MS21919DG16 主要用于无线通信系统中的低噪声放大器(LNA)和中频放大器设计。常见的应用包括蜂窝基站、Wi-Fi 接入点、无线传感器网络、测试与测量设备以及卫星通信设备。此外,该器件也可用于广播设备、雷达系统和医疗成像设备中的射频信号放大环节。
HMC414MSXE, MAX2640EKA+, ATF-54143