时间：2025/6/19 10:04:49
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MS12N100FT 是一种高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高电压、低导通电阻的场合。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有优异的电气特性和可靠性。其封装形式通常为表面贴装类型，适合自动化生产。
型号：MS12N100FT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：100V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：12A
导通电阻Rds(on)：7.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗Ptot：160W
结温范围Tj：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
MS12N100FT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，能够满足高频应用需求。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件在异常情况下的耐用性。
4. 热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内正常工作。
5. 小尺寸封装设计，节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
MS12N100FT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括适配器和充电器。
2. 工业电机驱动与控制。
3. DC-DC转换器中的同步整流。
4. 太阳能逆变器中的功率转换。
5. 汽车电子设备中的负载切换。
6. 各种需要高效功率管理的消费类电子产品。
IRF840, STP12NK50Z
