时间：2025/8/15 4:20:14
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MS110F T/R 是一款由MOSA ELECTRONICS制造的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高效率的功率转换和开关应用。这款MOSFET具有优异的导通电阻特性，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，因此广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块以及各类工业和消费电子设备中。MS110F T/R采用先进的封装技术，确保了良好的热管理和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：12.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功率耗散（Pd）：250W
MS110F T/R的高电流能力和低导通电阻使其在高功率应用中表现出色。其导通电阻仅为12.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET支持高达80A的连续漏极电流，适用于需要高功率密度的设计。其TO-263封装不仅提供了良好的散热性能，还简化了PCB布局，提高了系统的稳定性和可靠性。
该器件的工作温度范围为-55°C至175°C，能够在极端环境下保持稳定运行，适用于工业自动化、汽车电子等对可靠性要求较高的场合。MS110F T/R的栅源电压范围为±20V，确保了器件在不同驱动条件下的安全运行，并防止因过电压导致的损坏。
由于其高功率处理能力和优异的热性能，MS110F T/R被广泛用于电源转换器、电机驱动器和负载开关等应用。此外，该MOSFET的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而进一步提高系统效率。这种特性在高频开关应用中尤为重要，因为它可以显著降低发热并提高系统的响应速度。
MS110F T/R广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、电池管理系统、电动工具、电源适配器、服务器电源、工业自动化设备以及新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电模块）。由于其高可靠性和优异的电气性能，该器件也常用于需要高效率和高功率密度的嵌入式系统和工业控制设备中。
SiHF100N8F5, IRLB8726PBF, FDP80N10
