MRF949BT1 是一种高频大功率射频晶体管,适用于无线通信、广播和工业加热等应用中的功率放大器。该器件采用硅双极型晶体管(BJT)技术制造,具有高增益、高效率和高可靠性的特点。其设计优化了在高频段工作时的性能表现,广泛用于UHF频段的发射机中。
集电极-发射极电压:65V
直流电流增益(hFE):7
最大集电极电流:30A
输出功率:280W
频率范围:400MHz 至 512MHz
热阻(壳温到环境):0.42°C/W
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
MRF949BT1 拥有出色的线性度和稳定性,在高频环境下表现出色。
1. 高功率处理能力使其能够胜任要求严苛的射频应用。
2. 其低热阻特性提高了散热性能,从而增强了长期运行的可靠性。
3. 宽广的工作频率范围确保了该晶体管在多种应用场景下的灵活性。
4. 此外,它还具备良好的抗ESD能力,减少了因静电放电导致的损坏风险。
5. 在设计上注重与外部电路匹配的简便性,便于工程师进行系统集成。
MRF949BT1 主要应用于以下领域:
1. UHF频段的电视和无线电发射机功率放大器。
2. 工业、科学和医疗(ISM)领域的射频能量设备。
3. 测试和测量仪器中的信号源。
4. 军用和民用通信系统的功率放大组件。
5. 大功率无线数据传输设备。
MRF949BTT1
MRF949BT2