MRF941 时间：2025/9/3 15:43:27 阅读：27

MRF941 是一款由 NXP Semiconductors（原 Motorola）制造的高频率射频（RF）功率晶体管，属于 N 沟道 MOSFET 类型。该器件专为在高频率下提供高功率输出而设计，适用于 UHF（超高频）和 VHF（甚高频）应用。MRF941 常用于广播、通信系统、射频放大器以及工业加热设备等需要高效功率放大的场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：250V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：1.5A
　　最大耗散功率（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-240
　　增益：20dB（典型值）
　　频率范围：175MHz - 500MHz

特性

MRF941 拥有卓越的高频性能，能够在 175MHz 至 500MHz 的频率范围内高效工作，适合射频功率放大应用。其 N 沟道 MOSFET 结构提供了良好的热稳定性和较低的导通电阻，从而提高了整体效率。此外，该器件具有较高的最大漏源电压（250V）和较大的最大耗散功率（150W），使其能够承受较大的功率负载，适用于要求高可靠性和高稳定性的工业和通信设备。
　　其封装采用 TO-240 标准封装，便于散热和安装。MRF941 还具有良好的线性度和较低的失真，使其在通信系统中表现出色。由于其栅极驱动要求较低，该器件能够与多种驱动电路兼容，简化了系统设计。另外，其宽广的工作温度范围（-65°C 至 +150°C）确保了在各种恶劣环境下的稳定运行。

应用

MRF941 广泛应用于射频功率放大器设计，特别是在广播发射机、无线通信设备、测试仪器和工业加热系统中。在广播领域，它被用于 FM 广播和电视发射机的末级功率放大器，确保信号能够被远距离传输。在通信系统中，MRF941 可用于基站放大器、中继器和便携式无线电设备，以增强信号强度并提高通信质量。此外，该器件还可用于射频测试设备，如信号发生器和频谱分析仪，以模拟高功率信号环境。在工业应用中，MRF941 常用于射频加热和等离子体生成设备，为材料处理和表面处理提供高效的能量传输。