类型：双极晶体管（NPN）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大集电极电流（IC）：1.2 A
　　最大功耗（PD）：50 W
　　频率范围：DC 至 1 GHz
　　输出功率：25 W（典型值，1 GHz）
　　增益：10 dB（典型值，1 GHz）
　　封装类型：TO-220AB

MRF917T1 的核心特性之一是其能够在高频下提供较高的输出功率和增益，这使得它成为射频功率放大器设计中的理想选择。该晶体管在1GHz以下的频率范围内表现出色，具有良好的线性度和较低的失真，这对现代通信系统中信号的保真度至关重要。
　　此外，MRF917T1 采用了硅双极工艺技术，具有出色的热稳定性，在高功率工作条件下依然能够保持可靠的性能。其 TO-220AB 封装形式不仅便于安装，而且有助于高效的散热，从而延长器件的使用寿命。
　　该晶体管的高效率特性也有助于降低系统的功耗和散热需求，这对于需要长时间连续运行的射频设备来说尤为重要。MRF917T1 还具有较宽的工作电压范围，这使得它在不同的应用环境中具有较高的灵活性。
　　由于其出色的射频性能和稳定性，MRF917T1 常用于专业级射频设备的设计中，包括移动通信基站、广播发射机、测试设备和工业射频系统。

MRF917T1 主要用于中高频射频功率放大器的设计，适用于各种无线通信系统。其典型应用包括移动通信基站的射频功率放大器、广播发射机的功率级、射频测试设备和工业射频加热系统。由于其高线性度和低失真特性，该晶体管也非常适合用于需要高质量信号放大的应用，例如调频（FM）广播发射机和业余无线电设备。
　　此外，MRF917T1 还可用于射频能量应用，如射频加热和等离子体生成系统。其高输出功率能力和良好的热管理特性，使其在这些高要求的工业应用中表现出色。
　　在设计中使用 MRF917T1 时，通常需要搭配适当的射频匹配网络和偏置电路，以确保最佳的性能和稳定性。工程师在使用该晶体管时还需要考虑散热设计，以确保其在高功率状态下的长期可靠性。

MRF917T1G, MRF9170T1, BLF244, 2N6081