类型：NPN 射频功率晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：15 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：65 V
　　最大功耗（Ptot）：300 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　封装形式：TO-247AB（3 引脚）
　　增益（hFE）：典型值 25（在 30 MHz、250 W 输出功率条件下）
　　频率范围：高达 500 MHz
　　输出功率：在 225 MHz 下可达 250 W（典型值）

MRF911 拥有出色的射频性能和热稳定性，能够在高达 500 MHz 的频率范围内保持高效的功率输出。其高功率处理能力使其适用于高功率射频放大器设计。该晶体管的 NPN 结构允许其在较高的频率下保持稳定的增益和线性度，确保信号的高质量放大。此外，MRF911 的 TO-247AB 封装设计有助于良好的散热性能，使其能够在高功耗条件下长时间稳定工作。
　　该器件的增益在高频条件下保持相对稳定，通常在 25 左右，这使得它在高功率放大电路中表现优异。同时，MRF911 的最大集电极电流可达 15 A，支持高输出功率的实现。其最大集电极-发射极电压为 30 V，适用于多种电源配置的射频放大电路。
　　为了确保可靠性和稳定性，MRF911 的工作温度范围广泛，从 -65°C 到 +200°C，适合在各种环境条件下使用。此外，其最大功耗为 300 W，使得该晶体管能够在高负载条件下保持稳定运行。MRF911 的封装形式为 TO-247AB，这种封装方式便于安装在散热器上，提高散热效率，从而延长器件的使用寿命。

MRF911 主要用于射频功率放大器的设计，适用于无线通信基础设施、广播设备和射频测试仪器。例如，它可以用于 UHF 和 VHF 频段的广播发射机中，提供高功率的射频输出。在无线通信系统中，MRF911 可以作为基站或中继器的射频功率放大器，提高信号的传输距离和稳定性。此外，该晶体管还可用于工业和科研领域的射频加热设备和等离子体发生器，提供稳定的高功率射频能量。
　　在测试设备方面，MRF911 常用于射频信号发生器和功率放大器模块，为各种射频测试提供高功率输出。由于其良好的频率响应和线性度，MRF911 还可以用于需要高保真度信号放大的应用，如音频放大器和测量设备。在广播领域，MRF911 可用于调频广播发射机的末级功率放大器，提供高效率和高稳定性的输出。
　　在工业控制和自动化系统中，MRF911 也可用于射频识别（RFID）系统的功率放大器模块，确保信号的稳定传输和读取。此外，该晶体管还可用于射频焊接设备和射频加热设备，提供高功率的射频能量，以满足工业生产的需求。

MRF911D, MRF911G, MRF911N