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MRF9080 发布时间 时间:2025/9/3 16:04:27 查看 阅读:4

MRF9080 是一款由 NXP Semiconductors(原 Motorola)制造的射频功率晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管类别。它主要用于射频(RF)功率放大器应用,工作频率范围覆盖 UHF 和微波频段。MRF9080 特别适用于通信设备、广播系统、工业加热、等离子体生成、医疗设备和测试仪器中的高功率 RF 放大器设计。该晶体管采用 TO-3P 封装,具备良好的热稳定性和高效率,能够在较高的频率下提供稳定的输出功率。

参数

类型:LDMOS RF 功率晶体管
  封装类型:TO-3P
  工作电压(VDS):125 V
  最大漏极电流(ID):1 A
  最大功率耗散(PD):30 W
  频率范围:DC ~ 1 GHz
  输出功率(典型值):15 W @ 900 MHz
  增益(Gp):18 dB @ 900 MHz
  效率(η):60% @ 900 MHz
  输入驻波比(VSWR):2.5:1(最大)
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C

特性

MRF9080 是一款专为高频和高功率应用设计的 LDMOS 晶体管,具备良好的热管理和高效率特性。其工作频率可达 1 GHz,适合用于 UHF 和 L 波段的射频功率放大器设计。该器件的漏极电流最大为 1 A,在 900 MHz 下可提供高达 15 W 的输出功率,功率增益为 18 dB,效率可达 60%,使其在通信和工业应用中具备较高的能效表现。
  MRF9080 的 TO-3P 封装结构提供了良好的散热性能,确保在高功率运行时仍能保持稳定。其输入驻波比最大为 2.5:1,表明其在匹配网络设计中具有一定的容差能力。该晶体管的栅极和漏极结构优化,有助于在高频下保持线性度和稳定性,适合用于 FM 广播、无线通信、雷达模拟器和射频测试设备等场景。
  此外,MRF9080 的工作温度范围宽广(-65°C 至 +150°C),适合在各种环境条件下使用。其具备一定的抗过载能力和热保护性能,可在短时间内承受一定的失配负载,提高系统的可靠性。

应用

MRF9080 主要应用于射频功率放大器的设计,适用于通信基础设施、广播发射机、工业加热设备、等离子体发生器、医疗射频设备以及电子测试仪器等领域。在无线通信系统中,它可用于 UHF 频段的功率放大器模块,支持 GSM、CDMA、WCDMA 等移动通信标准。在广播领域,MRF9080 可用于 FM 广播发射机的末级功率放大,提供高稳定性和高效率的输出。此外,它还可用于射频加热系统、感应加热、等离子体切割设备等工业应用,满足高功率密度和高可靠性的需求。在科研和测试设备中,MRF9080 常用于构建可调谐射频信号源、功率放大器模块和负载牵引测试系统。

替代型号

BLF881、MRFE62015H、RD16HHF1

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