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MRF9045MR1 发布时间 时间:2025/7/22 13:19:58 查看 阅读:8

MRF9045MR1 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的射频功率晶体管(RF Power Transistor),专为高频率、高功率的无线通信应用设计。该器件基于双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)技术,适用于900MHz左右的射频放大电路,广泛应用于移动通信基站、无线基础设施和工业射频设备中。MRF9045MR1具备高增益、高效率和良好的线性度,能够满足现代通信系统对高可靠性和高性能的要求。

参数

类型:双极型射频功率晶体管(BJT)
  频率范围:860MHz - 960MHz
  输出功率:45W(典型值)
  增益:约10dB(典型值)
  效率:约60%
  工作电压:+28V(典型)
  封装类型:TO-270(表面贴装)
  阻抗匹配:内部匹配输入和输出
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

MRF9045MR1 具备多项优良的电气和机械特性,确保其在苛刻的通信环境中稳定运行。首先,该晶体管在900MHz频段内具有高达45W的输出功率能力,适用于大功率射频放大需求。其次,MRF9045MR1 采用内部匹配设计,减少了外围电路的复杂性,提高了设计灵活性和系统集成度。此外,其高增益(约10dB)和高效率(可达60%)使得该器件在提高系统性能的同时降低了功耗和散热需求。
  在热管理和可靠性方面,MRF9045MR1 采用先进的封装技术,具备良好的热导性能,可在宽温度范围内稳定工作(-55°C 至 +150°C)。其TO-270表面贴装封装形式也便于自动化生产和高效的PCB布局,适用于大批量制造。
  该器件还具有良好的线性度和稳定性,能够在复杂的调制信号下保持低失真,适用于GSM、CDMA、WCDMA等现代无线通信标准。同时,MRF9045MR1 对于负载变化和驻波比(VSWR)具有较强的容忍能力,提升了系统的鲁棒性和可靠性。

应用

MRF9045MR1 主要应用于900MHz频段的射频功率放大器设计,广泛用于移动通信基站、中继器、无线接入点、工业射频加热设备和广播发射系统等场景。其高输出功率和良好的线性度使其特别适用于GSM、CDMA、WCDMA等蜂窝通信标准中的功率放大级。此外,该器件也适合用于测试设备、雷达模拟器和科研实验设备中的射频放大模块。由于其表面贴装封装形式,MRF9045MR1 也适用于需要自动化生产和高密度PCB布局的应用场合。

替代型号

MRF9045MR1G、MRF9045MR1E、MRF9060(更高功率版本)

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