MRF9011LT1 时间：2025/9/3 15:36:18 阅读：4

MRF9011LT1是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频功率放大器应用。该器件采用先进的Trench沟道技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，适用于如无线通信、基站、工业和消费类电源系统等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：7.0A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为1.25Ω（典型值1.05Ω）
　　功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-236（SC-59）

特性

MRF9011LT1具备一系列优异的电气和物理特性，使其在高频功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流工作条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。其最大RDS(on)为1.25Ω，在典型工作条件下可进一步降低到1.05Ω，这显著减少了导通损耗，使得该器件适用于高效率的功率转换系统。
　　其次，MRF9011LT1具有较高的栅极电压耐受能力，最大栅源电压为±20V，允许在较宽的驱动电压范围内工作，增强了其在不同电路设计中的适应性。此外，该MOSFET支持高达7A的连续漏极电流，使其能够处理中高功率级别的负载，适用于多种功率放大器和开关电路。
　　该器件的封装形式为TO-236（也称为SC-59），这种小型表面贴装封装不仅节省空间，还具备良好的热管理性能，适合高密度PCB布局。同时，MRF9011LT1的工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其在极端环境条件下仍能保持稳定运行，增强了其在工业和通信应用中的可靠性。
　　最后，该MOSFET的Trench沟道结构优化了其导通特性和开关性能，降低了开关损耗，从而在高频应用中实现更高的效率。这些特性使得MRF9011LT1成为无线基站、工业电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用的理想选择。