类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：65V
　　最大连续漏极电流（ID）：15A
　　最大工作频率：500MHz
　　输出功率（典型值）：125W
　　增益（典型值）：18dB
　　效率（典型值）：65%
　　封装类型：TO-247
　　热阻（Rth）：0.6°C/W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

MRF899BT具备多项高性能特性，适用于高功率射频放大应用。其主要特性包括高输出功率、高增益和高效率，能够满足ISM频段、广播和通信设备中对射频功率放大的严格要求。该器件采用高稳定性的硅基MOSFET结构，具备良好的线性度和失真控制能力，适用于调幅（AM）和调频（FM）信号放大。MRF899BT具有良好的热管理和散热能力，热阻较低，确保在高温环境下仍能稳定运行。此外，该器件具备良好的抗过载能力，能够在瞬时高功率条件下保持正常工作。其TO-247封装设计有助于简化PCB布局并提高散热效率，适用于高功率放大器模块的集成设计。
　　在射频性能方面，MRF899BT表现出优异的输入/输出匹配能力，降低了对外部匹配电路的依赖，简化了设计流程。该器件在500MHz以下频率范围内保持稳定的性能，适用于多种无线通信和工业应用。此外，MRF899BT的MOSFET结构具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度和降低驱动损耗，适用于高效率D类和E类功率放大器设计。

MRF899BT广泛应用于高功率射频放大器系统，包括工业、科学和医疗（ISM）频段设备、广播发射机、通信基站、测试测量设备以及高频加热系统。该器件适用于AM/FM广播发射器的末级功率放大、无线通信系统中的射频功率模块设计、射频激励源和射频测试设备中的功率输出级。此外，MRF899BT也可用于工业加热设备和等离子体发生器等需要高功率射频能量的应用场景。由于其高效率和高稳定性，MRF899BT也常用于便携式和固定式射频功率放大器的设计中。

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　　 "MRF8980",
　　 "MRF8985",
　　 "BLF888B",
　　 "CMF80025S"
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