类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-220
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：10V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.5A
　　最大耗散功率（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　频率范围：500MHz以上
　　增益：13dB（典型值）
　　输出功率：2W（典型值）
　　输入阻抗：50Ω

MRF892具有多项显著的性能特点，使其在射频功率放大器领域具有广泛的应用。首先，该器件采用了先进的硅工艺技术，使其在高频下仍能保持良好的增益和效率。其典型增益为13dB，在500MHz以上的频率范围内依然具备稳定的放大能力，适用于多级放大器设计中的驱动级或输出级。其次，MRF892的最大漏极电流可达1.5A，最大漏源电压为30V，具备较高的功率处理能力，能够在较宽的电压范围内稳定工作。
　　该器件的封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于各种高密度PCB布局。此外，MRF892具有良好的线性度和低失真特性，适用于模拟和数字通信系统中的功率放大应用。其输入阻抗为50Ω，能够很好地匹配常见的射频传输线和天线系统，减少信号反射和损耗。
　　另外，MRF892的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用，如工业控制系统、军事通信设备和车载电台等。该器件还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在高功率密度环境下长期稳定运行。

MRF892主要应用于射频功率放大器、无线通信系统、广播设备、测试与测量仪器、天线驱动器以及高频电子设备等领域。它特别适用于需要中等功率放大和高频率响应的电路设计，如VHF/UHF频段的通信发射机、业余无线电设备、数据传输系统以及便携式无线设备中的功率放大模块。此外，MRF892还可用于音频功率放大器和脉冲调制器等应用中，提供稳定、高效的信号放大功能。

2N6081, MRF150, MRF151, IRF510