MRF891 时间：2025/9/3 16:35:58 阅读：27

MRF891 是一款由 Motorola（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高频射频（RF）功率放大应用设计。该器件适用于工业、科学和医疗（ISM）频段以及广播设备中的射频放大器设计。MRF891 具有高功率增益、良好的线性度和高效率，能够在 UHF 和 VHF 频段下稳定工作，广泛用于调频发射机、工业加热设备和射频测试仪器中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：500 V
　　最大漏极电流（ID）：1.5 A
　　最大功耗（PD）：150 W
　　工作频率范围：最高至 500 MHz
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　输出功率：125 W CW（连续波）@ 225 MHz
　　封装形式：TO-240AB

特性

MRF891 的主要特性之一是其高增益能力，使其在射频放大器中能够实现优异的信号增强效果。此外，该器件采用了先进的 MOSFET 技术，具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在高温和高功率环境下运行。其高击穿电压（500V）确保了在高压应用中的安全性和稳定性。MRF891 还具有良好的线性度和失真特性，使其非常适合用于需要高质量信号放大的应用，如调频广播和通信设备。此外，该器件的封装设计（TO-240AB）提供了优良的散热性能，有助于提高整体系统的热管理效率。
　　另一个显著的特性是其宽频带响应，能够在 500 MHz 以下的频率范围内保持高性能，适用于多种射频放大场景。MRF891 的输入和输出阻抗匹配良好，降低了外部匹配电路的复杂性，从而简化了设计流程并提高了系统的整体效率。此外，该器件的制造工艺符合工业级标准，具备良好的一致性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下长期运行。这些特性使 MRF891 成为许多射频功率放大器设计的首选器件。

应用

MRF891 主要用于射频功率放大器的设计，广泛应用于调频广播发射机、无线通信系统、工业加热设备、射频测试设备以及医疗射频设备等领域。其高功率处理能力和良好的线性度也使其适用于高保真音频放大器和工业控制系统的功率模块设计中。由于其优异的高频性能和稳定性，MRF891 也常用于短波通信、雷达模拟器和射频信号发生器等专业设备中。