MRF873 时间：2025/9/3 10:13:06 阅读：26

MRF873是一款由摩托罗拉（Motorola）设计的高频、高功率N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于射频（RF）功率放大器和高频电子设备中。该器件能够在UHF（超高频）范围内提供高增益和高输出功率，适用于广播、通信以及工业设备中的射频功率放大器设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　工作频率范围：最高可达500MHz
　　输出功率（典型值）：在450MHz时约250W
　　增益：约12dB（在450MHz）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

MRF873具备高功率处理能力，能够在UHF范围内稳定工作，适用于高要求的射频放大应用。该器件采用了先进的MOSFET工艺，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了功率损耗，提高了效率。其高增益特性使得在射频电路设计中可以减少级联放大器的数量，从而简化电路结构，提高系统稳定性。此外，MRF873的封装设计具备良好的散热性能，能够有效应对大功率工作下的热管理问题，确保器件在高负载条件下仍能保持可靠运行。
　　MRF873的栅极驱动特性也较为友好，适用于多种类型的射频激励电路。它能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能，适合工业级应用。该器件还具备良好的抗过载能力，能够在短暂的过载或失配条件下不损坏，增强了系统的鲁棒性。MRF873通常用于广播发射机、通信基站、工业加热设备以及其他需要高功率射频放大的场合。

应用

MRF873主要应用于射频功率放大器，特别是在广播发射设备、无线通信系统、工业射频加热装置等领域。它常用于UHF频段的信号放大，如电视广播、调频广播、短波通信等。由于其高功率输出和稳定性能，MRF873也常用于工业和科研领域的射频能量放大，例如等离子体发生器、射频感应加热设备等。此外，MRF873也可用于业余无线电设备中的高功率射频放大模块设计。