MRF873是一款由摩托罗拉(Motorola)设计的高频、高功率N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于射频(RF)功率放大器和高频电子设备中。该器件能够在UHF(超高频)范围内提供高增益和高输出功率,适用于广播、通信以及工业设备中的射频功率放大器设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):15A
最大漏-源电压(VDS):60V
最大栅-源电压(VGS):±20V
工作频率范围:最高可达500MHz
输出功率(典型值):在450MHz时约250W
增益:约12dB(在450MHz)
封装类型:TO-247
工作温度范围:-65°C至+150°C
MRF873具备高功率处理能力,能够在UHF范围内稳定工作,适用于高要求的射频放大应用。该器件采用了先进的MOSFET工艺,具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了功率损耗,提高了效率。其高增益特性使得在射频电路设计中可以减少级联放大器的数量,从而简化电路结构,提高系统稳定性。此外,MRF873的封装设计具备良好的散热性能,能够有效应对大功率工作下的热管理问题,确保器件在高负载条件下仍能保持可靠运行。
MRF873的栅极驱动特性也较为友好,适用于多种类型的射频激励电路。它能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能,适合工业级应用。该器件还具备良好的抗过载能力,能够在短暂的过载或失配条件下不损坏,增强了系统的鲁棒性。MRF873通常用于广播发射机、通信基站、工业加热设备以及其他需要高功率射频放大的场合。
MRF873主要应用于射频功率放大器,特别是在广播发射设备、无线通信系统、工业射频加热装置等领域。它常用于UHF频段的信号放大,如电视广播、调频广播、短波通信等。由于其高功率输出和稳定性能,MRF873也常用于工业和科研领域的射频能量放大,例如等离子体发生器、射频感应加热设备等。此外,MRF873也可用于业余无线电设备中的高功率射频放大模块设计。
RD100HHF1, BLF177, MRF893