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MRF861 发布时间 时间:2025/9/3 6:30:04 查看 阅读:8

MRF861是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高功率双极晶体管(Bipolar Transistor),常用于射频(RF)功率放大器应用。这款晶体管设计用于在VHF和UHF频段下工作,适合高可靠性通信设备和工业应用。MRF861属于NXP的HiPerFET系列,专为高效率和高性能的射频放大设计。

参数

类型:双极晶体管(NPN)
  最大集电极电流:15A
  最大集电极-发射极电压:30V
  最大发射极-基极电压:5V
  最大功耗:300W
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  频率范围:高达500MHz
  增益带宽积:250MHz
  封装类型:TO-247

特性

MRF861是一款高功率、高增益的射频晶体管,具有出色的线性度和效率。该器件采用先进的双极工艺制造,具有高耐用性和稳定性。MRF861特别适用于需要高输出功率和良好热稳定性的应用场合。其高增益特性使其在低频至超高频范围内都能提供卓越的信号放大能力。此外,该晶体管具有良好的抗过载能力和热保护功能,使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行。MRF861的封装设计有助于快速散热,确保长时间工作的可靠性。
  该晶体管在射频放大器中表现出色,尤其适用于FM广播、电视发射机、工业加热设备以及通信基站等高功率应用场景。其低失真和高保真特性使其成为音频放大器设计中的理想选择,特别是在高保真音响系统和专业音频设备中。MRF861的设计使其在高频下仍能保持良好的性能,具有较低的交调失真和较高的效率,适用于各种模拟和射频应用。
  为了确保最佳性能,MRF861需要适当的散热设计和良好的偏置电路配置。其基极-发射极电压需控制在安全范围内,以防止损坏晶体管。该器件在设计中通常用于AB类或B类放大器配置,以实现高效率和低失真。MRF861的高电流能力和高功率处理能力使其成为高功率放大器设计中的重要组件。

应用

MRF861广泛应用于射频功率放大器、FM广播发射机、电视发射机、工业加热设备、通信基站、音频放大器、专业音响系统以及高功率电子设备中。

替代型号

MRF861R, MRF861RL, MRF861RML

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