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MRF858S 发布时间 时间:2025/9/3 15:19:04 查看 阅读:8

MRF858S 是一款由 NXP(恩智浦)公司生产的射频功率晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术器件。该晶体管主要用于射频放大器应用,特别是在高频和高功率场景下表现优异,例如在通信基站、广播设备以及工业和医疗射频设备中。MRF858S 设计用于在 88-108 MHz 的频率范围内工作,能够提供高达 500W 的连续波(CW)输出功率。这使其成为高功率射频放大设计中的常用选择。

参数

类型:射频功率晶体管
  晶体管技术:LDMOS
  频率范围:88 MHz - 108 MHz
  最大输出功率:500 W(连续波)
  漏极电压:32 V
  栅极电压范围:-2.5 V 至 0 V
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:陶瓷金属封装
  增益:约 20 dB
  效率:约 65%

特性

MRF858S 的核心特性之一是其在 88-108 MHz 频率范围内提供高功率输出的能力,这使其非常适合用于 FM 广播发射器和高功率射频放大器。该晶体管采用 LDMOS 技术,提供了较高的线性度和效率,这对于现代通信系统来说至关重要。此外,MRF858S 具有出色的热性能,能够在较高的工作温度下保持稳定,这得益于其优化的散热设计和坚固的陶瓷金属封装。它还具备良好的耐用性和可靠性,适合在严苛环境中使用。
  该器件的输入和输出阻抗匹配良好,减少了外部匹配元件的需求,从而简化了电路设计。此外,MRF858S 的栅极电压范围较宽,允许通过调整偏置来优化性能,例如提高效率或降低失真。由于其高增益特性(约 20 dB),该晶体管可以减少射频信号链中所需的放大级数,从而降低成本和复杂度。
  MRF858S 还具备良好的抗负载失配能力,能够在一定程度上容忍输出端的阻抗变化,从而提高了系统的稳定性。这种特性在广播和通信系统中尤为重要,因为这些系统可能会遇到各种负载条件变化。

应用

MRF858S 主要用于需要高功率射频放大的应用领域,例如 FM 广播发射器、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、测试设备以及高功率射频放大器模块。它也常用于通信基础设施中的基站放大器,尤其是在需要高输出功率和可靠性的场景中。由于其出色的性能和稳定性,MRF858S 也被用于科研和实验性射频系统中。

替代型号

MRF858S/1M, MRF858SC

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