MRF857S 时间：2025/9/4 1:56:17 阅读：31

MRF857S 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的射频功率晶体管，属于 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于高频通信系统、射频功率放大器、广播设备以及工业控制等领域。MRF857S 采用 SOT-89 封装形式，具备良好的热稳定性和高频性能，适合在 50MHz 至 1GHz 的频率范围内使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID(max)）：250mA
　　最大漏极-源极电压（VDS(max)）：15V
　　最大栅极-源极电压（VGS(max)）：±20V
　　工作频率范围：50MHz - 1GHz
　　输出功率：典型值 10W @ 434MHz
　　封装形式：SOT-89
　　增益：15dB @ 434MHz
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

MRF857S 具备优异的射频放大性能和稳定的工作特性，适用于中低功率射频放大应用场景。其采用先进的 MOSFET 工艺制造，具有较高的跨导（gm）和良好的线性度，能够在高频条件下提供稳定的输出功率。此外，该器件具备较低的互调失真（IMD）和出色的效率，能够在较宽的频率范围内保持一致的性能表现。MRF857S 的 SOT-89 封装设计有助于提高散热性能，同时便于在射频电路中的布局和安装。
　　该晶体管在设计上采用了低寄生电容和电感结构，从而降低了高频信号的损耗，提高了放大器的稳定性和效率。MRF857S 还具备良好的抗热失效能力，在高温环境下依然能保持稳定工作状态。其栅极驱动需求较低，适合与多种射频驱动器配合使用，适用于调频广播、无线通信、遥控设备等多种应用场景。

应用

MRF857S 主要用于射频功率放大器的设计，广泛应用于调频广播发射机、短波通信系统、无线遥控设备、工业监测系统以及射频测试仪器等领域。该器件在 VHF 和 UHF 频段中表现出色，适合用于 433MHz ISM 频段通信、低功率发射器、射频信号增强器等产品中。此外，MRF857S 也可用于多级射频放大电路中的驱动级或末级放大器，提供稳定可靠的射频输出能力。