MRF851是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高频和高功率应用。该器件设计用于在高频率下提供高效率和低损耗,常用于射频(RF)功率放大器、工业加热、无线基础设施和其他需要高功率输出的电子系统。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):20A
最大漏源电压(VDS):125V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-247
导通电阻(RDS(on)):0.12Ω
增益(GFS):6.5S
MRF851具有多项显著的性能特性,使其在高频率和高功率应用场景中表现出色。首先,该器件采用了先进的MOSFET技术,能够在高频下提供优异的效率和低损耗。其N沟道增强型结构提供了良好的线性度和开关性能,适合用于射频功率放大器等对信号保真度要求较高的应用。
其次,MRF851的高功率处理能力使其适用于工业加热设备和高功率射频发生器。其最大漏极电流为20A,最大漏源电压为125V,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。此外,该器件的导通电阻仅为0.12Ω,有助于降低导通损耗,提高整体效率。
另外,MRF851的封装采用TO-247形式,具有良好的热管理和机械稳定性,确保在高温环境下仍能正常工作。其最大功耗为150W,适用于需要高功率输出的电子系统。栅源电压范围为±20V,提供了较宽的控制范围,便于设计者进行优化。
最后,MRF851在射频应用中表现出良好的增益特性,其增益(GFS)为6.5S,有助于提高放大器的输出功率和稳定性。此外,其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种恶劣的工业环境。
MRF851广泛应用于射频功率放大器、工业加热设备、无线通信基础设施、高频电源转换器以及高功率射频发生器等领域。在射频放大器中,该器件能够提供高增益和高效率,满足无线通信系统对高功率输出和信号保真度的要求。在工业加热应用中,MRF851的高功率处理能力和优异的热稳定性使其成为理想的功率开关器件。此外,该器件还可用于高频电源转换器,提供高效的能量转换能力,适用于电源管理系统和电力电子设备。在无线基础设施中,MRF851可用于基站和中继器的射频放大模块,确保稳定的信号传输和覆盖范围。
MRF851的替代型号包括MRF852、MRF854和IRF540N等。这些器件在电气特性和封装形式上与MRF851相似,可作为备选方案用于不同的应用需求。