MRF841 时间：2025/9/3 3:56:28 阅读：4

MRF841是一款由Motorola（现为ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于射频（RF）功率放大器和开关应用中。该器件设计用于在高频范围内（通常在1 GHz以下）提供高功率输出和高效率，适用于通信设备、工业控制系统和消费类电子产品。MRF841采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于连续波（CW）和脉冲操作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　输入电容（Ciss）：约100pF
　　输出电容（Coss）：约20pF
　　跨导（Gfs）：4S
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω

特性

MRF841具有出色的高频性能，能够在高达500 MHz的频率下提供高功率输出。该器件的输入和输出电容较低，有助于减少高频应用中的寄生效应，并提高放大器的稳定性。其高跨导（Gfs）特性使得在较小的栅极驱动电压下即可实现较高的电流增益，适合用于低电压驱动的功率放大电路。
　　MRF841的导通电阻相对较低，约为0.4Ω，能够在高电流条件下提供较低的功率损耗，从而提高整体效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和耐久性，能够在恶劣的环境条件下长期运行。TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于连续波（CW）和脉冲模式操作。
　　该MOSFET的栅极结构采用了保护设计，能够承受高达±20V的栅源电压，增强了其在不同驱动条件下的可靠性和稳定性。MRF841还具有较低的反馈电容，有助于减少高频放大器中的不稳定性和振荡风险。

应用

MRF841广泛应用于射频功率放大器、高频开关电源、无线电发射器、工业加热设备以及消费类电子产品的功率控制电路中。其高频性能和高功率处理能力使其成为UHF（特高频）和VHF（甚高频）应用中的理想选择。该器件常用于无线通信设备中的末级功率放大器，适用于FM无线电、电视广播和工业控制系统等场景。此外，MRF841还可用于音频功率放大器、马达控制电路和直流-直流转换器等应用，提供高效、稳定的功率输出。