MRF6P21190 时间：2025/9/3 7:42:38 阅读：23

MRF6P21190 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高功率射频（RF）晶体管，属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管系列。该器件设计用于在高频应用中提供高效率和高功率输出，适用于无线通信基础设施、广播系统以及工业和医疗设备等场景。MRF6P21190 工作频率范围覆盖从 1.8 GHz 到 2.2 GHz，具有优异的线性度和热稳定性，适合用于基站功率放大器等对性能要求较高的场合。

参数

类型: N沟道LDMOSFET
　　工作频率: 1.8 GHz - 2.2 GHz
　　输出功率: 190 W CW @ 2.1 GHz
　　漏极电压（VD）: 28 V
　　栅极电压（VG）: -3.3 V @ 静态工作点
　　增益: 21.5 dB @ 2.1 GHz
　　效率: 55% @ 2.1 GHz
　　输入回波损耗（S11）: 18 dB
　　封装形式: ABF-7F（7引脚陶瓷法兰封装）
　　热阻（Rth）: 0.35°C/W
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C

特性

MRF6P21190 具备多项优异的电气和热性能，确保其在高功率射频应用中表现出色。其LDMOS结构提供高效率和良好的线性度，适用于现代通信系统中对信号保真度要求较高的应用，例如W-CDMA、LTE和WiMAX基站放大器。该器件在2.1GHz频率下可提供高达190W的连续波（CW）输出功率，且具有21.5dB的增益，减少了对前级放大器的依赖，从而简化系统设计。
　　此外，MRF6P21190采用高性能的7引脚陶瓷法兰封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，能够在高功率密度下保持稳定工作。其输入回波损耗为18dB，确保了良好的阻抗匹配，减少了信号反射带来的损耗。该器件的热阻为0.35°C/W，表明其具有优异的热传导能力，有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。

应用

MRF6P21190 主要用于高性能射频功率放大器的设计，广泛应用于无线通信基础设施领域，如蜂窝基站（包括2G、3G、4G LTE以及早期5G部署）、广播发射机、工业加热设备以及医疗射频设备等。由于其在2.1GHz频段附近表现出色，特别适用于UMTS、W-CDMA、LTE FDD和TDD系统中的高功率放大应用。该器件还可用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大模块，以及作为多级放大器中的末级功率放大器使用。