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MRF6P21190 发布时间 时间:2025/9/3 7:42:38 查看 阅读:4

MRF6P21190 是一款由 NXP(恩智浦)半导体公司生产的高功率射频(RF)晶体管,属于 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管系列。该器件设计用于在高频应用中提供高效率和高功率输出,适用于无线通信基础设施、广播系统以及工业和医疗设备等场景。MRF6P21190 工作频率范围覆盖从 1.8 GHz 到 2.2 GHz,具有优异的线性度和热稳定性,适合用于基站功率放大器等对性能要求较高的场合。

参数

类型: N沟道LDMOSFET
  工作频率: 1.8 GHz - 2.2 GHz
  输出功率: 190 W CW @ 2.1 GHz
  漏极电压(VD): 28 V
  栅极电压(VG): -3.3 V @ 静态工作点
  增益: 21.5 dB @ 2.1 GHz
  效率: 55% @ 2.1 GHz
  输入回波损耗(S11): 18 dB
  封装形式: ABF-7F(7引脚陶瓷法兰封装)
  热阻(Rth): 0.35°C/W
  工作温度范围: -65°C 至 +150°C

特性

MRF6P21190 具备多项优异的电气和热性能,确保其在高功率射频应用中表现出色。其LDMOS结构提供高效率和良好的线性度,适用于现代通信系统中对信号保真度要求较高的应用,例如W-CDMA、LTE和WiMAX基站放大器。该器件在2.1GHz频率下可提供高达190W的连续波(CW)输出功率,且具有21.5dB的增益,减少了对前级放大器的依赖,从而简化系统设计。
  此外,MRF6P21190采用高性能的7引脚陶瓷法兰封装,具备良好的散热性能和机械稳定性,能够在高功率密度下保持稳定工作。其输入回波损耗为18dB,确保了良好的阻抗匹配,减少了信号反射带来的损耗。该器件的热阻为0.35°C/W,表明其具有优异的热传导能力,有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。

应用

MRF6P21190 主要用于高性能射频功率放大器的设计,广泛应用于无线通信基础设施领域,如蜂窝基站(包括2G、3G、4G LTE以及早期5G部署)、广播发射机、工业加热设备以及医疗射频设备等。由于其在2.1GHz频段附近表现出色,特别适用于UMTS、W-CDMA、LTE FDD和TDD系统中的高功率放大应用。该器件还可用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大模块,以及作为多级放大器中的末级功率放大器使用。

替代型号

MRF6P21180, MRF6P21190HR5, MRF6P21195, MRF6VP21190

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