MRF653 时间：2025/9/3 11:14:23 阅读：11

MRF653是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频开关应用设计。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐压和较大的连续漏极电流能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高频率开关电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：650V
　　最大连续漏极电流（ID）：3A
　　最大栅极-源极电压（VGSS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值2.5Ω（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

MRF653具备优异的高频开关性能和较低的导通损耗，使其在高频率操作下仍能保持良好的效率。其高耐压能力（650V）使其适用于中高功率的开关电源设计。此外，该器件的导通电阻相对较低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。MRF653还具备良好的热稳定性和抗过载能力，确保在苛刻的工作条件下仍能稳定运行。其TO-220封装形式便于散热安装，适用于多种工业级应用环境。
　　该MOSFET的栅极驱动特性良好，可在较宽的栅极电压范围内实现稳定导通，适用于常见的10V或12V驱动电路。同时，MRF653的开关速度较快，能够满足高频逆变器、开关电源和马达控制等应用的需求。此外，其封装设计具备良好的机械强度和耐久性，适用于各种电路板安装方式。