型号: MRF6525-60
　　类型: MOSFET RF功率晶体管
　　最大漏极电压 (Vds): 650 V
　　最大漏极电流 (Id): 30 A
　　输出功率 (CW): 60 W
　　频率范围: 1.8 MHz – 60 MHz
　　增益: 18 dB（典型）
　　效率: 70%（典型）
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C
　　封装类型: 陶瓷金属封装
　　输入阻抗: 50Ω
　　输出阻抗: 50Ω

MRF6525-60 是一款高性能的射频功率MOSFET晶体管，具有出色的功率处理能力和稳定性。该器件采用了先进的横向MOSFET技术，能够在1.8 MHz至60 MHz的频率范围内提供高达60W的连续波（CW）输出功率。其高增益特性（典型值18dB）使得在设计放大器时无需额外的驱动级，从而简化了电路结构并降低了整体功耗。此外，MRF6525-60的效率高达70%，在高功率工作条件下能够显著减少热量产生，提高系统可靠性。
　　这款晶体管具备良好的热稳定性和耐久性，最大漏极电压可达650V，最大漏极电流为30A，适用于各种高功率应用场景。其输入和输出阻抗均为50Ω，与常见的射频系统阻抗匹配良好，简化了外围电路的设计。此外，MRF6525-60能够在-65°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的工业和通信设备。
　　由于其优异的线性度和稳定性，MRF6525-60在多频段通信系统中表现出色，尤其是在需要高功率输出和高效率的广播和无线基础设施中。该器件的陶瓷金属封装设计不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度和长期可靠性，使其在长时间高功率运行下仍能保持稳定性能。

MRF6525-60 主要应用于需要高功率射频输出的通信和工业设备中。其典型应用包括广播发射机、无线基础设施（如基站）、工业加热设备、射频测试设备、医疗设备以及宽带放大器系统。由于其工作频率覆盖1.8 MHz至60 MHz，因此特别适用于短波广播、调幅广播（AM）、调频广播（FM）和电视广播等场景。此外，在测试测量设备中，MRF6525-60可作为高功率信号源或放大器使用，提供稳定可靠的射频输出。在工业加热和等离子体生成设备中，该晶体管可用于驱动高频感应线圈，实现高效能的能量转换。

MRF6525-60S、MRF6525-40、MRF6525-100、RD16HHF1、RD06HHF1