MRF652 时间：2025/9/3 16:40:08 阅读：13

MRF652是一款由NXP（恩智浦）半导体公司制造的射频功率晶体管，属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术的产品。该晶体管主要用于高功率射频放大器应用，适用于广播、通信和工业设备。MRF652特别设计用于在50MHz至500MHz的频率范围内工作，提供高增益、高效率和出色的热稳定性。这种晶体管通常用于调频（FM）广播发射机和高功率射频放大系统。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　工作频率：50MHz至500MHz
　　输出功率：125W（典型值）
　　增益：23dB（典型值）
　　效率：65%以上
　　漏极电压：50V
　　封装类型：AB类金属陶瓷封装
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

MRF652具有多项卓越的性能特点，使其在射频功率放大领域中脱颖而出。首先，该晶体管采用LDMOS技术，提供了高线性度和高效率的结合，使其非常适合用于调频广播发射机和高功率射频放大系统。其次，MRF652在50MHz至500MHz的频率范围内表现优异，能够支持广泛的应用场景。此外，该器件的典型输出功率为125W，增益为23dB，效率超过65%，确保了在高功率输出下的低能耗和高可靠性。MRF652采用了AB类金属陶瓷封装，具有良好的散热性能，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。该晶体管还具有出色的热稳定性和抗失真能力，能够在较宽的温度范围内保持一致的性能，适用于工业级和高可靠性要求的系统。

应用

MRF652广泛应用于广播和通信系统中，特别是在调频（FM）广播发射机中作为高功率射频放大器使用。它也适用于其他需要高功率输出和高效率的射频系统，如无线基础设施、工业加热设备、等离子体发生器和射频测试设备。由于其宽频带特性和高稳定性，MRF652也常用于科研和实验性射频项目中。此外，该晶体管还可用于放大器模块的设计，以满足各种射频应用的需求。