MRF630 是一款由 Motorola(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频功率放大应用。该器件设计用于在 500 MHz 以下的频率范围内工作,适用于射频(RF)放大器、工业加热设备、广播发射机等高功率射频系统。MRF630 具有高增益、低失真和良好的热稳定性,能够承受较高的漏极电流和功率损耗。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电压(VDS):60V
最大栅极电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):17A
最大功率耗散(PD):200W
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
频率范围:500 MHz 以下
增益:典型值 14 dB
输出功率:典型值 150W
MRF630 的核心特性之一是其在高频应用中的高功率处理能力,这得益于其优化的芯片结构和先进的封装技术,能够有效散热并保持稳定工作。该器件具有良好的线性度和低互调失真,适用于要求高保真度的射频放大系统。其高增益特性(典型值 14 dB)可减少前置放大级的数量,简化电路设计。此外,MRF630 具有较强的抗热不稳定性能力,能够在较高温度下持续工作而不发生热崩溃,这得益于其良好的热设计和高耐受性材料。该器件的栅极驱动要求较低,适合与多种类型的驱动电路配合使用。MRF630 的 TO-247 封装形式便于安装在散热器上,提高散热效率,延长使用寿命。
在实际应用中,MRF630 的栅极电压范围为 ±20V,漏极电压最大可达 60V,使其适用于多种射频电源供电架构。其最大连续漏极电流为 17A,并能够在短时间承受更高的峰值电流,适用于脉冲功率放大等应用。MRF630 的高输出功率能力和稳定性使其成为广播发射机、高频加热设备和射频测试仪器中的常用元件。
MRF630 广泛应用于高频功率放大器、射频加热设备、广播发射机、工业射频系统、射频测试与测量设备、无线通信基础设施、等离子体发生器以及高频逆变器等场合。该器件特别适合需要高功率输出和高稳定性的射频放大应用场景。
MRF640, MRF650, IRF630