MRF630 时间：2025/9/4 2:39:17 阅读：26

MRF630 是一款由 Motorola（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频功率放大应用。该器件设计用于在 500 MHz 以下的频率范围内工作，适用于射频（RF）放大器、工业加热设备、广播发射机等高功率射频系统。MRF630 具有高增益、低失真和良好的热稳定性，能够承受较高的漏极电流和功率损耗。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：60V
　　最大栅极电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：17A
　　最大功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　频率范围：500 MHz 以下
　　增益：典型值 14 dB
　　输出功率：典型值 150W

特性

MRF630 的核心特性之一是其在高频应用中的高功率处理能力，这得益于其优化的芯片结构和先进的封装技术，能够有效散热并保持稳定工作。该器件具有良好的线性度和低互调失真，适用于要求高保真度的射频放大系统。其高增益特性（典型值 14 dB）可减少前置放大级的数量，简化电路设计。此外，MRF630 具有较强的抗热不稳定性能力，能够在较高温度下持续工作而不发生热崩溃，这得益于其良好的热设计和高耐受性材料。该器件的栅极驱动要求较低，适合与多种类型的驱动电路配合使用。MRF630 的 TO-247 封装形式便于安装在散热器上，提高散热效率，延长使用寿命。
　　在实际应用中，MRF630 的栅极电压范围为 ±20V，漏极电压最大可达 60V，使其适用于多种射频电源供电架构。其最大连续漏极电流为 17A，并能够在短时间承受更高的峰值电流，适用于脉冲功率放大等应用。MRF630 的高输出功率能力和稳定性使其成为广播发射机、高频加热设备和射频测试仪器中的常用元件。