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MRF627 发布时间 时间:2025/9/2 23:25:29 查看 阅读:4

MRF627是一款由NXP(恩智浦)半导体公司生产的高性能射频功率晶体管,主要用于高频和射频功率放大器应用。这款晶体管采用先进的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术,具有高增益、低失真和高可靠性的特点。MRF627广泛应用于无线通信设备、广播发射器、测试仪器以及其他需要高功率射频输出的领域。其设计使其能够在较高的频率下工作,同时保持良好的效率和稳定性,是一款非常适合现代射频功率应用的晶体管。

参数

类型:LDMOS射频功率晶体管
  最大漏极电流(Id):500mA
  最大漏极电压(Vd):65V
  最大栅极电压(Vg):±20V
  工作频率范围:1.8MHz - 60MHz
  最大输出功率:约25W(在典型应用条件下)
  封装类型:TO-247
  热阻(Rth):2.5°C/W
  增益:20dB以上(典型值)
  漏极效率:60%以上
  输入驻波比(VSWR):<2:1

特性

MRF627作为一款高性能LDMOS晶体管,具备多项优异特性。首先,它能够在频率范围1.8MHz至60MHz之间高效运行,适用于多种射频功率放大器设计。其次,MRF627的高输出功率能力使其成为许多高功率射频应用的理想选择。在典型应用条件下,其输出功率可达25W左右,并且具有高增益(20dB以上)和漏极效率超过60%的特点,从而提高了整体系统效率。此外,MRF627的输入驻波比(VSWR)小于2:1,表明其在匹配电路中表现良好,能够有效减少信号反射,提升系统稳定性。
  该晶体管还具备良好的线性度和低失真特性,使其在需要高质量信号放大的应用中表现出色,例如在无线通信和广播发射器中。MRF627采用TO-247封装,具有良好的散热性能,热阻为2.5°C/W,能够在较高功率条件下保持稳定工作温度。此外,其栅极电压容限为±20V,提供了更高的设计灵活性和保护能力。这些特性使得MRF627成为一款适用于多种射频功率放大器设计的可靠选择。

应用

MRF627主要应用于需要高功率、高频率放大能力的射频系统中。常见的应用包括无线通信基站、广播发射器、业余无线电设备、测试与测量仪器以及射频加热系统。在无线通信系统中,MRF627可用于中继站或小型基站的射频功率放大器部分,提供稳定的高功率输出。在广播领域,它常用于AM/FM广播发射器的末级放大,以提高信号覆盖范围和稳定性。此外,在业余无线电设备中,MRF627因其宽频带特性,能够支持多频段操作,提高设备的灵活性。测试与测量设备中,该晶体管可用于射频信号发生器或功率放大模块,提供精确且稳定的输出信号。由于其高频和高功率特性,MRF627还被用于射频能量应用,如感应加热和等离子体生成设备。总之,MRF627凭借其高性能和可靠性,广泛应用于各种射频功率放大器和高频电子系统中。

替代型号

BLF177, MRF150, RD16HHF1

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