时间：2025/9/3 6:11:15
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MRF5S21130R5是一款由NXP（恩智浦）公司生产的高功率射频（RF）功率晶体管，基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术。该器件专为高频率和高功率应用设计，广泛用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射器和工业设备。MRF5S21130R5工作频率范围宽，输出功率高，具备优异的热稳定性和可靠性，适合在高要求的环境中运行。
制造商：NXP Semiconductors
晶体管类型：LDMOS RF功率晶体管
频率范围：2050 MHz - 2170 MHz
输出功率：130 W（典型值）
漏极效率：约40%（典型值）
增益：18 dB（典型值）
工作电压：28 V
输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）
封装类型：符合工业标准的AIRFET?表面贴装封装
工作温度范围：-40°C至+150°C
MRF5S21130R5具有多个关键特性，使其在高功率射频应用中表现出色。首先，它采用了先进的LDMOS技术，这使得该器件在高频下依然保持高效率和高线性度。这对于现代通信系统至关重要，因为它们需要在高数据传输速率下保持信号完整性。
其次，MRF5S21130R5能够在2050 MHz到2170 MHz的宽频率范围内稳定工作，适用于多种无线通信标准，如W-CDMA、LTE和5G NR。这种宽频带特性减少了设计中对多个不同频率器件的需求，提高了设计的灵活性。
MRF5S21130R5广泛应用于无线通信基础设施，包括蜂窝基站、微波通信系统、广播发射器以及工业和医疗射频设备。其高功率、高效率和宽频率范围特性使其成为现代无线通信系统中不可或缺的组件。
MRF5S21130R5H, MRF5S21130R5K, MRF5S21140R5
