频率范围：DC 至 2 GHz
　　输出功率：130 W（典型值）
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　漏极效率：约 65%
　　工作电压：+28 V
　　输入驻波比（VSWR）：2:1 最大
　　封装类型：ABF（螺栓安装法兰封装）

MRF5S21130L 采用先进的 LDMOS 技术，具有出色的热稳定性和高可靠性，能够在高功率条件下长时间运行。该器件的输入匹配设计允许在宽频率范围内实现良好的阻抗匹配，从而提高整体系统的性能。此外，该晶体管具备良好的抗失真能力，适用于高线性度要求的应用，如 LTE、W-CDMA 和其他数字通信标准。MRF5S21130L 的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的稳定性，并降低了对散热器的要求。该器件还具有良好的抗过载能力和抗静电能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。
　　在电气性能方面，MRF5S21130L 提供了高输出功率和优异的效率，同时保持较低的谐波失真，适合用于多载波放大器和宽带放大器设计。其内部输入匹配网络减少了外部元件的需求，简化了电路设计并提高了整体系统的可靠性。

MRF5S21130L 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器设计，包括 3G、4G LTE 和未来的 5G 基站系统。它也可用于广播发射机、工业加热设备、医疗射频设备以及测试和测量仪器中的高功率射频放大模块。由于其宽频率响应和高线性度特性，该晶体管非常适合用于需要多频段操作和高数据速率传输的现代通信系统中。此外，MRF5S21130L 还可应用于各种高功率射频放大器系统，如雷达、卫星通信和军事通信设备。

MRF5S21130N, MRF5S21140L, MRF5S21160L, AFT05MS004N