类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：500mA
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　工作频率范围：175MHz - 500MHz
　　输出功率：典型值为14W（在450MHz）
　　增益：典型值20dB
　　封装形式：TO-220AB
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

MRF509 是一款专为高频和射频应用设计的功率MOSFET，具有出色的电气特性和热稳定性。其高漏源击穿电压（250V）使其适用于高电压工作环境，同时其低输入电容（Ciss）有助于减少高频下的信号失真。此外，该器件的高跨导（Gm）确保了良好的增益特性，适用于需要高线性度的放大器设计。
　　由于其TO-220AB封装具备良好的散热性能，MRF509能够在连续波（CW）或脉冲模式下稳定运行。该器件的栅极保护设计使其在实际应用中对静电放电（ESD）具有一定的耐受能力，提高了使用的可靠性。
　　该晶体管在UHF频段的性能尤为突出，适用于FM广播、电视发射机、无线通信设备以及工业射频加热设备中的功率放大器设计。同时，MRF509的低噪声系数和良好的阻抗匹配特性使其在多种射频系统中表现出色。

MRF509 主要用于射频功率放大器的设计，适用于多个领域，包括但不限于：
　　? 无线通信基站中的功率放大模块
　　? UHF频段的FM广播和电视发射设备
　　? 射频测试仪器和信号发生器
　　? 工业射频加热与等离子体发生设备
　　? 业余无线电（HAM Radio）发射器
　　该器件特别适合需要在450MHz左右频段提供稳定输出功率的应用，同时也可在更低频段如175MHz下工作，适应性强。

MRF515、MRF516、BLF244、2N6107