MRF464 时间：2025/9/3 16:14:10 阅读：14

MRF464是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），设计用于高频率、高功率的开关应用。该器件广泛应用于射频（RF）放大器、电源转换器、电机驱动器以及其他需要高效、高功率处理能力的电子系统中。MRF464采用了先进的功率MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在高频应用中表现出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：60V
　　最大栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：160A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.7mΩ @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-247
　　晶体管配置：单

特性

MRF464具有多项突出的电气和热性能，适合在高功率、高频条件下运行。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率，特别适用于电源管理和功率转换器设计。其次，MRF464具备较高的电流承载能力，能够支持高达160A的漏极电流，适用于高功率负载的应用场景。此外，该MOSFET采用了TO-247封装，具有良好的热管理和散热性能，有助于在高功率操作时保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　在高频应用中，MRF464的开关速度快，栅极电荷低，减少了开关损耗，提高了系统的响应速度和效率。这种特性使其非常适合用于射频放大器、DC-DC转换器和电机控制电路。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和航空航天等领域的高要求应用场景。

应用

MRF464主要应用于需要高功率和高频操作的电子系统中。例如，在电源管理领域，它被用于高效DC-DC转换器、同步整流器和电池管理系统；在电机控制中，MRF464可用于高性能H桥驱动电路，提供高效的电机驱动解决方案；在射频应用中，该器件可作为功率放大器的核心元件，用于无线通信系统、射频加热设备和测试仪器。此外，MRF464还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电动车充电系统等高功率电子设备中，以实现高效、稳定的功率转换和管理。