MRF458 时间：2025/9/3 12:04:09 阅读：7

MRF458 是一款由Motorola（现为On Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频率、高功率应用而设计。该器件常用于射频（RF）放大器、工业加热、等离子体发生器以及高频电源转换器等应用中。MRF458采用TO-247封装形式，具有良好的热性能和高耐压能力，能够在恶劣的工作条件下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：12A
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（典型值）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

特性

MRF458具有多项出色的电气和物理特性，适用于高功率和高频应用。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具备较高的耐压能力，能够承受较大的电压应力，适用于高电压操作环境。
　　MRF458采用了先进的平面MOSFET技术，确保了良好的高频响应和开关性能，适用于射频放大器和开关电源等需要高频工作的场合。此外，其TO-247封装提供了良好的散热性能，使得器件在高功率工作状态下仍能保持较低的温度，从而提高了系统的可靠性和稳定性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持快速开关操作，有助于减少开关损耗。同时，其具备较高的dv/dt抗扰能力，能够有效防止电压突变导致的误开通，提高系统在复杂电磁环境下的稳定性。MRF458还具有较强的短路耐受能力，可在一定程度上保护器件免受过流和短路故障的损害。