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MRF373 发布时间 时间:2025/9/3 16:55:47 查看 阅读:4

MRF373是一款由摩托罗拉(Motorola)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,主要用于高功率射频(RF)放大应用。该器件采用TO-220封装形式,具有良好的热稳定性和高频响应能力,广泛应用于通信设备、射频放大器、工业控制及测试仪器等领域。MRF373的设计使其能够在高频条件下保持高效率和稳定的工作性能,是射频功率放大器设计中常用的元器件之一。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):250V
  最大漏极电流(ID):15A
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大功耗(PD):150W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220
  增益(Gps):约13dB(典型值)
  频率范围:可达500MHz
  输出功率:约150W(典型值)
  输入阻抗:50Ω
  输出阻抗:50Ω

特性

MRF373具有多项显著的技术特性,适合于高功率射频应用。其主要特性包括:
  1. 高功率处理能力:MRF373能够承受较高的漏源电压和漏极电流,适用于高功率放大器设计,支持在高频条件下输出稳定的功率水平。
  2. 高频响应良好:该器件的频率响应范围可达到500MHz,适用于VHF、UHF等频段的射频应用,确保信号在高频下仍具有良好的放大性能。
  3. 高增益表现:MRF373具有较高的增益(Gps)特性,典型值可达13dB,有助于提高放大器的整体性能,减少后续电路的信号处理负担。
  4. 低失真特性:在射频放大过程中,MRF373能够提供较低的非线性失真,保证信号的保真度,适用于高保真度要求的通信系统。
  5. 热稳定性好:采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,能够在较高工作温度下保持稳定运行,适用于连续工作的高功率环境。
  6. 输入输出阻抗匹配:输入和输出阻抗均为50Ω,便于与射频系统中的其他组件进行阻抗匹配,减少信号反射和损耗。
  7. 适用于宽带应用:MRF373可在较宽的频率范围内保持良好的放大性能,适合于多频段或宽带射频系统的设计。

应用

MRF373被广泛应用于多个高功率射频和通信系统中,包括:
  1. 射频功率放大器:MRF373是射频功率放大器设计中的核心元件,适用于VHF、UHF等频段的高功率放大需求,如广播、无线通信和业余无线电设备。
  2. 通信设备:该器件可用于基站、中继器和无线发射设备中的射频功率放大模块,提供稳定的信号放大功能。
  3. 工业控制与测试仪器:MRF373可用于工业控制系统中的射频信号发生器或放大器,也可用于射频测试设备中的信号放大单元,确保测试信号的准确性和稳定性。
  4. 电子战和雷达系统:由于其高功率处理能力和良好的高频响应,MRF373也适用于军事和航空领域的射频系统,如雷达发射器和电子对抗设备。
  5. 音频放大器:尽管主要设计用于射频应用,MRF373也可用于高功率音频放大器设计,特别是在需要高频响应的音频系统中。

替代型号

MRF373的替代型号包括MRF374、MRF375、RD16HH01、RD16HH02、2SC1971、BLF244等。这些器件在某些参数上可能有所不同,因此在替换时需要根据具体应用需求进行评估。

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