MRF326 时间：2025/9/3 16:17:56 阅读：8

MRF326是一款由NXP Semiconductors（原Motorola）制造的射频（RF）功率晶体管，属于N沟道增强型横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管。该器件专为高频应用设计，工作频率范围通常在几十兆赫兹到数百兆赫兹之间，广泛应用于无线通信、广播设备、工业加热和医疗设备中的射频功率放大器。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率：最高可达500 MHz
　　最大漏极电流（Id）：12 A
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大功率耗散（Ptot）：300 W
　　增益：约18 dB（典型值）
　　输出功率：260 W CW（连续波）@ 500 MHz
　　封装类型：TO-240AB

特性

MRF326具备出色的线性度和高效率，适合高功率射频应用。其采用LDMOS技术，使得器件在高频下仍能保持较高的增益和效率。该晶体管的封装设计允许其在高功率条件下有效散热，从而确保长时间运行的可靠性。
　　此外，MRF326具有良好的热稳定性和抗失真能力，使其适用于需要高保真度信号放大的场合，如广播发射机和通信系统中的基站放大器。其高输入阻抗和低输出阻抗特性也便于与前级驱动电路和负载匹配网络的集成。
　　由于其优异的性能表现，MRF326在工业、科学和医疗（ISM）频段应用中广泛使用，例如射频加热、等离子体发生器和高频焊接设备等。此外，它还常用于测试设备和实验室仪器中的射频功率放大模块。

应用

MRF326主要应用于以下领域：
　　? 无线通信基础设施：如蜂窝基站、无线接入点中的射频功率放大器模块。
　　? 广播设备：用于AM/FM广播发射机的功率放大级。
　　? 工业和医疗设备：如射频加热器、等离子体发生器、高频焊接机等。
　　? 测试和测量设备：如信号发生器、频谱分析仪的射频功率放大输出级。
　　? 业余无线电设备：为射频爱好者提供高功率输出支持。