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MRF323 发布时间 时间:2025/9/4 1:45:11 查看 阅读:8

MRF323是一种常用的射频功率晶体管,广泛应用于射频放大器和通信设备中。该器件由摩托罗拉(Motorola)公司设计,采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,适用于高频和高功率应用。MRF323能够在UHF频段提供高效的功率输出,是一款在无线通信领域具有重要地位的功率放大器件。

参数

类型:HEMT射频功率晶体管
  频率范围:最高可达900 MHz
  最大输出功率:约300W(连续波)
  增益:约23dB
  电源电压:28V
  封装类型:金属陶瓷封装(Flange Mount)
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  输入和输出阻抗:50Ω(典型)

特性

MRF323具有高功率增益和优良的热稳定性,使其能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其HEMT结构确保了在高频率下的高效工作,同时降低了失真和噪声。该晶体管设计用于宽带应用,具有良好的匹配性能,可减少外部匹配元件的需求。此外,MRF323还具有较高的抗过载能力和出色的耐用性,适合用于高可靠性要求的通信系统。
  该器件在设计上采用了先进的封装技术,确保了良好的散热性能,延长了使用寿命。MRF323还具备良好的线性度和效率,适用于模拟和数字调制系统,如AM、FM、CDMA和TDMA等。其高频性能和高输出功率能力使其成为UHF频段射频放大器的理想选择。

应用

MRF323主要用于UHF频段的射频功率放大器中,如广播发射机、移动通信基站、工业通信设备以及军事和航空领域的通信系统。它还可用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大模块。由于其高可靠性和稳定性,MRF323也常用于高功率无线传输和远距离通信系统中。

替代型号

MRF343、MRF353、BLF244、NTE319

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MRF323参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格30 : ¥918.45233托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)33V
  • 频率 - 跃迁-
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)-
  • 增益11dB
  • 功率 - 最大值20W
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)20 @ 1A,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2.2A
  • 工作温度-
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳244-04
  • 供应商器件封装244-04,1 型