类型：LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率范围：960MHz - 990MHz
　　输出功率：典型值95W（在990MHz）
　　漏极电压（VD）：最大32V
　　栅极电压（VG）：-30V至+20V
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：AB（Flanged Nickel Plated Kovar）
　　输入阻抗：50Ω
　　增益：典型值24dB
　　效率：典型值60%
　　热阻（Rth）：约1.0°C/W

MRF3095具有出色的射频性能和热稳定性，是专为高功率密度和高线性度需求设计的。该器件采用先进的LDMOS技术，提供高增益和高效率，同时保持较低的失真水平，使其非常适合用于现代通信系统中的高线性度放大器设计。
　　此外，MRF3095具备优异的热传导性能，确保在高功率运行时仍能维持稳定的性能和较长的使用寿命。其金属陶瓷封装提供了良好的机械强度和热稳定性，适合在各种严苛环境下运行。
　　该晶体管还具备良好的抗负载失配能力，能够在不损害器件的前提下承受一定程度的输出失配，从而提高了系统的可靠性和稳定性。
　　为了优化性能，MRF3095通常用于AB类放大器设计中，可在连续波（CW）或脉冲模式下工作，适用于多种无线通信标准，如GSM、CDMA和LTE等。

MRF3095广泛应用于蜂窝通信基站、广播发射器、工业加热设备、医疗设备以及测试与测量仪器等高功率射频系统中。其高效率和高输出功率特性使其成为移动通信基础设施中功率放大器的理想选择。
　　在基站系统中，MRF3095可用于多载波功率放大器（MCPA）设计，满足高线性度和高效率的需求。在广播设备中，它可用于调频广播和电视发射器的高功率放大阶段。此外，它也适用于短波通信和军用通信设备中的射频放大模块。

NXP MRF3095G, MRF3096, MRF3097, Freescale MRFE3095R2