MRF284SC是一种功率晶体管,常用于射频(RF)和微波通信系统中的功率放大应用。这款晶体管由安森美半导体(ON Semiconductor)制造,属于双极型晶体管(BJT)类别,具有较高的功率输出能力和良好的频率响应,适合在高频环境下工作。MRF284SC通常用于无线基础设施、基站、广播设备以及工业控制系统等。
类型:双极型晶体管(BJT)
封装类型:表面贴装(Surface Mount)
最大集电极-发射极电压(VCEO):28V
最大集电极电流(IC):1.5A
最大功率耗散(PD):30W
工作频率范围:DC至1GHz
增益(hFE):典型值为50(在特定工作条件下)
输出功率:典型值为10W(在1GHz频率下)
封装:SOT-89
热阻(RθJA):约40°C/W
工作温度范围:-65°C至+150°C
MRF284SC具有多种优良的电气和热性能,使其在射频功率放大器中表现出色。该晶体管的高频响应能力使其适用于1GHz以下的各种射频应用。其SOT-89封装形式不仅支持表面贴装工艺,还提供了良好的热管理和机械稳定性,适用于高密度PCB设计。MRF284SC的输出功率可达10W,同时具备较高的线性度和稳定性,适合用于多级放大电路中的驱动级或输出级。此外,该器件具有良好的热阻特性,能够在较高温度环境下稳定工作,具备较强的抗热失效能力。其增益(hFE)典型值为50,保证了足够的信号放大能力。MRF284SC的低失真特性也使其适用于需要高保真度信号放大的通信系统。该晶体管还具有良好的抗过载能力,能够在短时间内承受较高的电流和电压应力,提高系统的可靠性。
MRF284SC广泛应用于射频通信系统中的功率放大器模块,包括无线基站、广播发射器、无线局域网(WLAN)设备以及测试仪器等。它也常用于工业控制和测量设备中的高频信号放大环节。由于其高可靠性和良好的热管理能力,MRF284SC在需要稳定工作的高频电路中具有较高的实用价值。
MRF284SC的替代型号包括MRF284S、MRF282S、MRF281S和MRF284T等。