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MRF282SR1 发布时间 时间:2025/8/1 18:18:39 查看 阅读:28

MRF282SR1 是一款由 NXP(恩智浦)公司推出的射频功率晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别,专为高频率、高功率的射频应用设计。这款晶体管通常用于工业、科学和医疗(ISM)频段中的射频放大器、通信设备、广播系统以及测试仪器等领域。MRF282SR1 以其在高频范围内的稳定性能和高输出功率能力而闻名,适用于要求高效率和可靠性的射频功率放大器设计。

参数

类型:双极型晶体管(BJT)
  材料:硅(Si)
  最大集电极-发射极电压:65V
  最大集电极电流:1.5A
  最大耗散功率:50W
  工作频率范围:225MHz - 550MHz
  增益:约10dB
  输出功率:25W(典型值)
  封装类型:TO-220
  

特性

MRF282SR1 的主要特性之一是其出色的射频功率放大性能,特别是在225MHz至550MHz的频率范围内表现优异。它能够在高频率下提供稳定的25W输出功率,并保持较高的线性度和效率。这使得该晶体管非常适合用于需要高功率放大的射频系统,如无线通信基站、广播设备和射频测试仪器。
  此外,MRF282SR1 采用 TO-220 封装,具备良好的热稳定性和散热性能,能够在较高的工作温度下保持可靠性。其65V的最大集电极-发射极电压和1.5A的最大集电极电流允许其在较宽的电源范围内运行,适用于多种电源设计条件。
  该晶体管的设计还考虑了易用性和兼容性,可以方便地集成到现有的射频功率放大器电路中。其10dB左右的增益表现,结合相对较低的噪声系数,使得 MRF282SR1 成为中功率射频放大器的理想选择。
  另一个重要特性是其具备较高的可靠性和耐用性,适用于工业级应用环境。NXP 作为射频功率器件的领先制造商,确保了 MRF282SR1 在长期运行中的稳定性,适合用于高要求的通信和工业系统。

应用

MRF282SR1 主要应用于射频功率放大器的设计,尤其适用于225MHz至550MHz的中高频段系统。典型应用包括工业、科学和医疗(ISM)频段的射频发射设备、短波通信系统、射频测试仪器以及广播设备中的功率放大模块。
  在通信领域,MRF282SR1 可用于构建高功率射频放大器,提升无线通信基站的发射能力,特别是在模拟和数字广播系统中发挥重要作用。此外,在测试测量设备中,该晶体管可以作为高功率射频信号源的关键组件,帮助工程师进行信号调试和系统测试。
  由于其良好的线性度和稳定性,MRF282SR1 也常用于射频加热、等离子体发生器以及工业射频能量应用。在这些应用中,晶体管需要在高功率和高频条件下稳定运行,而 MRF282SR1 的性能恰好满足这些需求。

替代型号

MRF282SR1G, MRF281SR1, MRF284SR1, 2N6080

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MRF282SR1参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶体管类型LDMOS
  • 频率2GHz
  • 增益11.5dB
  • 电压 - 测试26V
  • 额定电流1µA
  • 噪音数据-
  • 电流 - 测试75mA
  • 功率 - 输出10W
  • 电压 - 额定65V
  • 封装/外壳NI-200S
  • 供应商设备封装NI-200S
  • 包装带卷 (TR)