MRF239是一款由摩托罗拉(Motorola)推出的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高频功率放大应用,例如在无线通信系统、射频(RF)放大器和电视广播设备中。这款MOSFET具有较高的功率输出能力和良好的热稳定性,适合在高频条件下工作。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):1.5A
最大漏-源电压(VDS):30V
最大栅-源电压(VGS):20V
最大工作频率:500MHz
输出功率:约30W(在UHF频段)
封装形式:TO-220AB
导通电阻(RDS(on)):约0.35Ω
输入电容(Ciss):约180pF
MRF239具备多项适用于高频功率放大的特性。首先,它具有较高的功率增益,能够在UHF(超高频)范围内提供良好的信号放大性能。其次,该器件采用高稳定性的硅栅工艺制造,确保了在高温和高功率条件下的可靠运行。此外,MRF239具有良好的线性度和低失真特性,适合用于需要高质量信号放大的场合。其TO-220封装形式也便于安装和散热设计,适合在紧凑型电子设备中使用。为了确保长期稳定性,MRF239还内置了静电放电(ESD)保护结构,提高了器件的抗干扰能力。另外,MRF239的栅极驱动要求较低,可以与常见的射频驱动器电路兼容,降低了系统设计的复杂性。
MRF239广泛应用于射频功率放大器、无线发射设备、电视广播发射器、业余无线电设备以及各种高频电子系统中。它特别适用于UHF频段的信号放大,如在VHF/UHF无线通信系统中作为末级功率放大器使用。此外,该器件也可用于音频功率放大器或低频电源开关应用中,因其良好的热稳定性和较高的可靠性,在高要求的工业和通信设备中得到了广泛应用。
MRF150, MRF151, BLF244