类型: NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）: 150 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）: 30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）: 30 V
　　最大功耗（Ptot）: 300 mW
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-18（金属封装）
　　频率范围: 最高可达500 MHz
　　增益（hfe）: 约60-150（取决于工作条件）

MRF226具有多项优异的电气特性，使其在射频放大应用中表现出色。首先，其高频率响应能力使其非常适合用于UHF频段的信号放大。该晶体管的NPN结构提供了良好的增益线性度，有助于减少信号失真，从而提高通信系统的信号质量。
　　其次，MRF226的金属封装（TO-18）不仅具有良好的散热性能，还能提供良好的电磁屏蔽，减少外部干扰对晶体管工作的影响。此外，该器件的低噪声特性使其在低噪声放大器（LNA）设计中也具有一定优势。
　　再者，MRF226的稳定性和可靠性较高，能够在较宽的温度范围内正常工作，适合用于工业级和军用级应用。其额定功耗为300mW，确保在高频工作条件下仍能保持较低的温度上升。
　　最后，MRF226的增益（hfe）在不同工作条件下变化较小，有利于电路设计的稳定性。其较高的击穿电压（30V）也为电路提供了更大的安全裕量，降低了因电压波动导致损坏的风险。

MRF226广泛应用于射频和高频电子系统中，主要用于射频功率放大器的设计。它常用于UHF频段的无线通信设备，如手持式对讲机、无线电接收器和发射器等。此外，该晶体管也适用于测试和测量设备中的信号放大模块，例如频谱分析仪和信号发生器。
　　在工业控制领域，MRF226可用于高频感应加热设备的功率放大电路中，确保系统的稳定运行。由于其良好的线性度和低噪声特性，它也被用于音频和视频信号传输设备中的前置放大器和中间频率放大器。
　　军事和航空航天领域中，MRF226也常用于雷达系统和通信设备的射频放大模块，以确保在极端环境下的稳定性和可靠性。

BFQ68、BFQ67、2N5179、2N3866