MRF207是一款高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频和高功率应用设计。该器件由NXP Semiconductors制造,广泛用于射频(RF)功率放大器、工业加热、等离子体发生器、医疗设备以及广播发射机等需要高功率密度和高可靠性的系统中。MRF207采用TO-247封装,具备良好的热管理和高耐用性,适用于连续波(CW)和脉冲操作模式。该MOSFET能够在100 MHz至500 MHz的频率范围内高效工作,具有低导通电阻和高击穿电压特性,从而在高功率应用中实现优异的性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):27 A
最大漏源电压(VDS):600 V
最大栅源电压(VGS):±30 V
最大功耗(PD):400 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
导通电阻(RDS(on)):0.38 Ω(典型值)
增益:>14 dB(典型值)
输出功率:>200 W(典型值)
频率范围:100 MHz - 500 MHz
MRF207具备多项优异的电气和机械特性,适用于高功率射频应用。其高击穿电压(600 V)和大电流能力(27 A)使其能够在极端条件下稳定运行。该器件的导通电阻较低,典型值为0.38 Ω,有助于降低导通损耗,提高效率。此外,MRF207的封装设计具有良好的热传导性能,能够有效地将热量从芯片传导至散热器,从而延长器件的使用寿命。
在射频性能方面,MRF207具有较高的增益和输出功率能力,在100 MHz至500 MHz的频率范围内均可提供超过200 W的输出功率,适用于宽带和窄带放大器设计。其栅极结构设计优化了线性度和稳定性,有助于在高功率条件下维持信号完整性。
MRF207还具有出色的抗过载能力,能够承受一定程度的失配和瞬态电压冲击,提高了系统的可靠性和耐久性。此外,该器件支持连续波(CW)和脉冲工作模式,适用于多种工业和通信应用。
MRF207广泛应用于需要高功率射频放大的各类系统中,包括广播发射机、工业加热设备、等离子体发生器、医疗高频设备以及无线通信基础设施。在广播领域,该器件可用于FM和TV发射机的末级功率放大器,提供高稳定性和高效率的信号放大。在工业应用中,MRF207可用于感应加热、超声波清洗和等离子切割等设备中的高频电源模块。
此外,该MOSFET也适用于宽带射频放大器、无线基站、微波通信设备和测试仪器。由于其良好的热管理能力和高可靠性,MRF207也常用于军用和航空航天等高要求环境下的射频功率系统。
MRF208, MRF209, MRFE6VP60400H