工作频率范围：800 MHz 至 1 GHz
　　最大输出功率：200 W（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　效率：60% 以上（典型值）
　　漏极电压（Vds）：28 V
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：AB包（陶瓷封装）
　　输入和输出阻抗：50Ω（标称值）
　　线性度：适用于高线性要求的应用
　　封装尺寸：标准射频功率晶体管封装

MRF20120 具备出色的射频功率放大性能，尤其在 UHF 和 L 波段的应用中表现出色。该器件采用了先进的 LDMOS 技术，使得它在高频率下仍能保持高效率和稳定性。MRF20120 的典型工作频率范围为 800 MHz 至 1 GHz，非常适合用于蜂窝通信中的基站功率放大器，如 GSM、CDMA 和 LTE 等标准。
　　该晶体管的输出功率高达 200 W（连续波 CW 模式），增益约为 20 dB，效率超过 60%。这使得它在高功率应用中能够提供卓越的能效，降低功耗和散热需求。MRF20120 采用 28 V 的漏极电压供电，与许多现有射频功率放大器设计兼容，简化了系统集成。
　　其封装采用 AB 包陶瓷封装技术，具有良好的热稳定性和机械强度，确保在高功率和高温环境下仍能可靠运行。MRF20120 还具备良好的线性度，适用于需要高信号完整性的通信系统。此外，该器件在宽温度范围内（-65°C 至 +150°C）均可正常工作，适合部署在各种恶劣环境下的射频设备中。
　　由于其高性能和高可靠性，MRF20120 常被用于无线通信基础设施、广播发射机、工业和科学设备等领域的射频功率放大器模块中。设计工程师可以通过适当的匹配电路和散热管理，将 MRF20120 集成到各种高功率射频系统中，以实现高效的信号传输。

MRF20120 主要用于蜂窝通信基站、广播发射机、无线基础设施设备、工业射频加热系统、科研仪器等需要高功率放大的射频应用中。其高效率和宽频率范围使其成为设计高性能射频功率放大器的理想选择。

MRF20140, MRF20130, MRFE6VP61K25H