制造商: NXP Semiconductors
　　晶体管类型: LDMOS RF 功率晶体管
　　工作频率范围: 50 MHz - 600 MHz
　　输出功率: 60W CW
　　漏极电压（VD）: 28V
　　输入阻抗: 50Ω
　　增益: 17 dB（典型值）
　　效率: 65% 以上
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C
　　封装类型: TO-240AB

MRF20060R 的一大特点是其在宽频率范围内保持稳定的性能，这使其成为多频段或宽频应用的理想选择。该器件采用先进的 LDMOS 技术制造，具备高效率和高线性度的优势，有助于减少功耗并提升系统整体性能。此外，MRF20060R 具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。
　　该晶体管的输入阻抗为 50Ω，便于与射频电路中的其他组件进行阻抗匹配，从而减少信号反射并提高传输效率。其典型增益为 17 dB，使得它能够在单级放大中实现较高的功率输出。MRF20060R 还具有较强的抗失真能力，适合用于对信号质量要求较高的数字通信系统。
　　另一个重要特性是其易于热管理和集成，TO-240AB 封装设计允许通过散热片有效散热，确保在高功率运行时的稳定性。同时，MRF20060R 符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子制造要求。

MRF20060R 主要应用于射频功率放大器设计，尤其是在无线通信基础设施中，如蜂窝基站、广播发射机和专业无线电系统等。由于其工作频率范围覆盖 50 MHz 至 600 MHz，因此适用于 VHF、UHF 和部分 L 波段的应用场景。
　　在广播领域，MRF20060R 可用于 FM 广播发射机的功率放大级，提供稳定且高效的射频输出。在通信系统中，该晶体管可作为基站中的线性功率放大器，支持多种调制格式，如 QAM、QPSK 和 OFDM 等，满足 4G LTE 和其他数字通信标准的需求。
　　此外，MRF20060R 还可应用于测试设备、工业加热系统、医疗射频设备以及其他需要高功率射频输出的工业控制系统中。其高可靠性和良好的线性度也使其成为实验室和工程开发中的常用元件。

MRF15060R, MRF20070H, BLF639, AFT05600N280